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原子层沉积设备

简要描述:原子层沉积设备为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应,将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-01-18
  • 访  问  量:635

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详细介绍

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原子层沉积设备(ALD)为一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應,將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數,緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。

SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1%。

厚度均匀度(WIW):

原子層沉積設備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內和均勻度的5%以內。 image.png

介電常數和功函數:

準備三個矽晶片,並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數和洩漏電流:介電常數應為7〜9(Al2O3)和18〜22(HfO2),並且洩漏電流小於1 nA(@ 1V)。

image.png

原子层沉积设备應用領域腔體
  • 高k值之氧化物。

  • OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

  • 微機電系統。

  • 納米電子學。

  • 納米孔結構薄膜。

  • 光學薄膜。

  • 薄膜封裝技術。

  • 鋁腔或者不銹鋼腔體,其佔地面積小,可縮短製程時間。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。



配置和優點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達300mm晶圓。

  • 優異的薄膜均勻度小於±1%。

  • 較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。

  • 薄膜具有高緻密性。

  • 前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。

  • 快速脈衝的氣體輸送閥,反應時間為10毫秒。

  • 通過穩定的溫度控制,將基板載台加熱到400°C。

  • 材料:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 高真空傳送系統。







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