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化学气相沉积

简要描述:化学气相沉积为一种薄膜沉积方法,其中将基材暴露于一种或多种挥发性气体中,在基板表面上反应或分解以生成所需的薄膜沉积物。这种方法通常用于在真空环境中制造高质量与高性能的固体材料。因此,该制程通常在半导体工业中用于制造薄膜。

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  • 更新时间:2023-09-28
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CVD 化學氣相沉積(CVD)為一種薄膜沉積方法,其中將基材暴露於一種或多種揮發性氣體中,在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用於在真空環境中製造高質量與高性能的固體材料。因此,該製程通常在半導體工業中用於製造薄膜。

化學氣相沉積

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Figure 1:化學氣相沉積的步驟

在典型的CVD中,將前驅物在室溫下進料到反應腔體中。當它們與加熱的基板接觸時,它們發生反應或分解以形成薄膜,並沉積在基材上。在此過程中,還會產生副產物,這些副產物可通過流經反應腔體的氣流除去。其製程溫度非常重要,會影響其化學反應。

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Figure 2: 示意圖-化學氣相沉積的步驟


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