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感应耦合电浆化学气相沉积设备

简要描述:感应耦合电浆化学气相沉积设备是一种使用ICP的化学气相沉积技术,可为沉积反应提供一些能量。与PECVD方法相比,ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源,有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率較大与反应速率较高等优点。

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  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-01-18
  • 访  问  量:321

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ICP-CVD 感应耦合电浆化学气相沉积设备(ICP-CVD)是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

SYSKEY感应耦合电浆化学气相沉积设备的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度),並提供高品質的薄膜。

應用領域腔體
  • 奈米碳管與石墨烯製程。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄

    膜製程。

  • 二維材料。

  • 醫療和商業產品的耐磨薄膜。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或

    加熱包來控制腔體溫度。


配置和優點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達

    12寸晶圓。

  • 腔體壓力:50~10-3 Torr。

  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可擴充10條氣體管線。

  • 穩定的溫度控制,將載盤加熱至700°C。

  • 使用Tornado ICP線圈,ICP電漿範

    圍為50W ~2000W,滿足客戶ICP-CVD製程需求。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手

    套箱整合在一起。

  • RPS用於腔體清潔。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 發射光譜儀。

  • 高真空傳送系統。




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