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化学气相沉积系统

简要描述:化学气相沉积系统PECVD沉积设备SI 500 PPD便于在从室温到350℃的温度范围内进行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的标准的化学气相沉积工艺。

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  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2023-09-08
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化学气相沉积系统介绍

工艺灵活性

PECVD沉积设备SI 500 PPD便于在从室温到350℃的温度范围内进行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的标准的化学气相沉积工艺。

预真空室

SI 500 PPD化学气相沉积系统的特色是预真空室和干泵装置,用于无油、高产量和洁净的化学气相沉积过程。

SENTECH控制软件

强大的用户界面友好软件包括模拟图形用户界面,参数窗口,工艺处方编辑窗口,数据记录和用户管理。

SI 500 PPD代表了先进的等离子体增强化学气相沉积设备,用于介质膜、非晶硅、碳化硅和其他材料的沉积。它基于平板电容耦合等离子体源,预真空室,温控衬底电极,可选的低频射频源、全自动控制的无油真空系统、先进的SENTECH控制软件,采用远程现场总线技术,以及用户友好的通用界面来操作SI 500 PPD。

SI 500 PPD等离子沉积设备,可以加工从大到200毫米直径的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件,并实现简易切换的过程。

SI 500 PPD等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体,SI 500 PPD可以为TEOS, SiC和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 PPD特别适用于化学气相沉积用于刻蚀掩膜,钝化膜,波导及其他的介质膜和非晶硅。

SENTECH提供不同级别的自动化程度,从真空片盒载片到一个工艺腔室或至多六个工艺模块端口,可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统,目标是高灵活性或高产量。SI 500 PPD也可用作多腔沉积系统中的一个工艺模块。


SENTECH control software for plasma equipment2Stress control of SiNx films at the PECVD process, courtesy of FBH Berlin, GermanyThickness map of Si3N4Mapping of refractive index of Si3N4Typical k spectrum of a PECVD a-Si film deposited at 100 °C measured by spectroscopic ellipsometer STypical Raman spectrum of 100 nm PECVD a-Si film deposited at 100 °CRaman spectra of PECVD Si-films deposited with RF power of 150 W at different temperatures





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