激光捕获显微切割显微镜（LCM）是一种结合激光技术与显微镜优势，用于从组织切片中精准分离和收集特定细胞或组织区域的技术，其技术步骤如下：一、准备工作样本准备：选择适合的组织或细胞样本，并进行适当的收集和处理。使用适当的固定剂（如福尔马林）固定样本，防止组织退化。将样本切割成薄片，通常厚度为5-10微米，以便于观察。将切片放置在预处理的载玻片上，确保切片平整且无气泡。染色（可选）：根据需要对切片进行染色，如H&E染色、免疫组织化学染色等，以便更好地识别目标细胞。显微镜调节：将切...

感应耦合电浆蚀刻（ICP）的控制方法主要围绕电浆密度调节、工艺参数优化、腔体设计改进及实时监测与反馈等核心环节展开，以下为具体控制方法：一、电浆密度调节电浆调节组件：感应耦合电浆蚀刻设备包括电浆调节组件、供电装置与反应腔体。电浆调节组件包括介电板与线圈，且更包括分流组件。当位于介电板一侧的线圈通电产生电磁感应时，介电板的另一侧可产生电浆以对基材进行蚀刻。线圈调整：通过调整线圈的内圈与外圈之间的距离，或连接分流组件使通入线圈的电流受到分流，可以调节电磁感应的强弱，进而调节电浆密...

在微纳制造领域，特殊形貌的三维微结构是实现器件多功能化的关键。日本倾斜角刻蚀技术凭借其角度调控能力，突破了传统垂直刻蚀的局限，可制备出倾斜侧壁、螺旋、柱状阵列等复杂微纳结构，在光学、生物医疗、传感器等领域占据重要地位，成为微纳加工领域的代表性技术之一。日本倾斜角刻蚀技术源于传统等离子体刻蚀的创新升级，其核心原理是通过调整样品台与等离子体束流的夹角，结合掩模的阴影效应，实现非垂直方向的选择性刻蚀。在刻蚀过程中，样品台可绕轴线旋转并精准控制倾斜角度，等离子体中的活性离子沿倾斜方向...

在半导体、光伏、光学器件等高新技术领域，薄膜材料的制备是器件性能的核心保障，沉积系统通过精准控制材料原子或分子的堆积过程，成为各类功能薄膜的“定制化生长平台”，广泛应用于从基础研究到工业化生产的全链条。​在半导体芯片制造中，化学气相沉积（CVD）系统是制备晶圆薄膜的核心设备。通过将硅烷等气体通入反应腔，在高温（600-1100℃）与等离子体作用下，硅原子沉积在晶圆表面形成氧化层或掺杂层，膜厚控制精度可达±1nm，满足7nm以下制程对栅极绝缘层的严苛要求。物理气相...

在MEMS（微机电系统）、功率器件、生物芯片等领域，深硅刻蚀技术通过对硅材料进行高精度纵深加工，成为构建三维微纳结构的“核心雕刻工具”，其应用覆盖从微米级到纳米级的复杂结构制备。​MEMS器件制造是深硅刻蚀的典型应用领域。在加速度传感器生产中，采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，在硅片上刻蚀出深度达50-200μm的梳齿结构，刻蚀垂直度偏差小于1°，确保器件在加速度变化时的电容变化线性度；微型陀螺仪的振动腔体则通过博世工艺实现周期性刻蚀与钝化，形成侧壁光滑的深槽，深宽比可...

聚焦离子束（FIB）扫描电镜（SEM）系统结合了离子束和电子束技术，能够在微观和纳米尺度上进行高精度的表面和结构分析。以下是FIB-SEM系统在实验中的应用：1.样品准备切割与修整：FIB系统可以用来精准切割样品，尤其是那些硬质或脆性材料。通过精细的离子束处理，FIB可以去除样品表面的多余部分，露出内部结构。表面处理：FIB也常用于样品表面的镀层处理，如金属镀层，以增强表面导电性，便于SEM观察。2.纳米级成像高分辨率成像：SEM通过电子束扫描样品表面，产生高分辨率的图像。结...

刻蚀系统作为现代制造业的核心装备之一，解锁了无数微观世界的奥秘。它是一套复杂而精密的技术组合，涵盖了化学、物理、材料科学等多个领域的前沿成果。一个完整的刻蚀系统通常包括气体供应模块、反应腔室、电源控制系统以及工艺监测单元等部分。其中，气体供应的准确性直接影响到刻蚀的效果和质量。不同的气体种类和配比可以实现对不同材料的选择性刻蚀，满足多样化的加工需求。反应腔室内的环境控制至关重要，稳定的温度、压力和气流分布是保证刻蚀均匀性和重复性的关键因素。刻蚀系统的应用领域极为广泛。在半导体...

在材料科学、生物学、地质学等众多科研领域以及制造业中，3D扫描电镜发挥着至关重要的作用，它能够让我们在微观层面以三维的形式观察物体的形貌和结构。那么，这种先进的仪器究竟是如何工作的呢？一、电子发射与加速3D扫描电镜首先通过电子枪产生电子束，常见的电子枪有钨丝枪、场发射枪等。钨丝枪是通过加热钨丝，使其热发射电子；而场发射枪则是利用强电场从尖锐的阴极表面抽取电子，场发射电子枪产生的电子束亮度高、能量分散度小。这些电子在高压电场的作用下被加速，形成高能的电子束。二、电子与样品相互作...