咨询热线

13810961731

当前位置:首页  >  产品展示  >    >  激光椭偏仪  >  SE 400adv激光椭偏仪

激光椭偏仪

简要描述:激光椭偏仪
SE 400adv可用于从可选择的、应用特定的入射角度表征单层薄膜和基片。自动准直透镜确保在大多数平坦反射表面的吸收或透明衬底上进行准确测量。多角度测量的集成支持(40°—90°,5°步进),可用于确定层叠的厚度、折射率和消光系数。为了补偿激光椭偏测量中厚度测量的模糊性,在厚度测量中也采用了多角度测量。

  • 产品型号:SE 400adv
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-07-10
  • 访  问  量:484

产品分类

Product Category

相关文章

Related Articles

详细介绍

品牌其他品牌产地类别国产
应用领域环保,化工,电子

亚埃精度

稳定的氦氖激光器保证了0.1埃精度的超薄单层薄膜厚度测量。

扩展激光椭偏仪的极限

性能优异的多角度手动角度计和角度精度*的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折射率、消光系数和膜厚。

高速测量

我们的激光椭偏仪SE 400adv的高速测量速度使得用户可以监控单层薄膜的生长和终点检测,或者做样品均匀性的自动扫描。


激光椭偏仪SE 400adv可用于从可选择的、应用特定的入射角度表征单层薄膜和基片。自动准直透镜确保在大多数平坦反射表面的吸收或透明衬底上进行准确测量。多角度测量的集成支持(40°—90°,5°步进),可用于确定层叠的厚度、折射率和消光系数。为了补偿激光椭偏测量中厚度测量的模糊性,在厚度测量中也采用了多角度测量。

SENTECH激光椭偏仪SE 400adv,用于超薄单层薄膜的厚度测量。小型台式仪器由椭偏仪光学部件、角度计、样品台、自动准直透镜、氦氖激光光源和检测单元组成。我们的激光椭偏仪SE 400adv的选项支持在微电子、光伏、数据存储、显示技术、生命科学、金属加工等领域的应用。


Atomic layer deposited Al2O3 on silicon waferMulti-angle measurement for determining thickness of SiO2 / Si3N4 / Si (substrate)Manual goniometer with 5°-stepsSE 400adv with controllerX-y mapping stageLaser ellipsometer with microspot optionLaser ellipsometer SE 401adv for in-situ measurement in plasma process technologyLaser ellipsometer with liquid cell


产品咨询

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7