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反应离子蚀刻设备

简要描述:反应离子蚀刻设备中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均勻性,并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。

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  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-01-18
  • 访  问  量:410

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反应离子蚀刻设备(RIE)中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性,並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。image.png

因此,RIE製程是化學物理蝕刻製程,也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程,並提供高品質的薄膜。

反应离子蚀刻设备参数

應用領域腔體
  • 基礎電漿研究。

  • III-V族化合物半導體蝕刻(GaAsn,InP,GaN)。

  • Si,SiO2,SiNx 蝕刻。

  • 微機電系統。

  • 金屬與矽的蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。


配置和優點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達12寸晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優異的薄膜均勻度小於±5%。

  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可容納6條氣體管線。

  • 穩定的溫度控制,將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。

  • 渦輪分子幫浦。

  • 蝕刻終點偵測(OES,激光)相容性。






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