感应耦合电浆蚀刻（ICP）的控制方法主要围绕电浆密度调节、工艺参数优化、腔体设计改进及实时监测与反馈等核心环节展开，以下为具体控制方法：
一、电浆密度调节
电浆调节组件：感应耦合电浆蚀刻设备包括电浆调节组件、供电装置与反应腔体。电浆调节组件包括介电板与线圈，且更包括分流组件。当位于介电板一侧的线圈通电产生电磁感应时，介电板的另一侧可产生电浆以对基材进行蚀刻。
线圈调整：通过调整线圈的内圈与外圈之间的距离，或连接分流组件使通入线圈的电流受到分流，可以调节电磁感应的强弱，进而调节电浆密度。这种方法可以细微地调节产生的电浆的密度，以达成控制基材蚀刻时的蚀刻均匀度。
二、工艺参数优化
射频功率控制：通过调节来自射频发生器的直流偏压，可以控制离子和电子的能量，从而影响蚀刻速率和选择性。
气体流量与成分：精确控制工艺气体的流量和成分，可以优化蚀刻反应，提高蚀刻速率和均匀性。例如，通过调整反应物气体和微调气体的比例，可以实现对蚀刻速率的精确控制。
腔体压力与温度：控制蚀刻腔体的压力和温度，可以影响电浆的组成和分布，进而影响蚀刻结果。例如，通过调整腔体压力，可以改变电浆中离子和中性粒子的比例，从而优化蚀刻速率和选择性。
三、腔体设计改进
气体注入位置：在电感式耦合电浆（ICP）蚀刻腔体中，气体注入的位置是一项重要的设计特性。通过优化气体注入位置，可以实现电浆在腔体内的均匀分布，提高蚀刻均匀度。
加热器布局：采用多个独立的加热器或微区域控制晶圆温度，可以影响关键参数CD均匀度。例如，在每个蚀刻腔体利用超过100个局部加热器，与整个晶圆只利用两个或四个加热器的系统相比，可提供更高的空间解析度。
四、实时监测与反馈
蚀刻终点侦测：采用光学发射光谱（OES）或激光侦测技术，可以实时监测蚀刻过程，准确判断蚀刻终点，避免过度蚀刻或蚀刻不足。
数据反馈与调整：通过实时监测蚀刻过程中的各项参数（如电浆密度、蚀刻速率等），并将数据反馈给控制系统，可以实现对蚀刻过程的动态调整，确保蚀刻结果的稳定性和一致性。
